在这种心态下大家也变得放松起来，一个个问题接踵而至，胡一亭对此也都毫不厌倦，一一耐心作答。
在回答了二十多个问题以后，众人对胡一亭的技术底蕴和知识深度有了直观认识，大家终于明白，胡一亭的技术背景已经不能用成熟来形容，简直可以称得上博大精深！
成光所马佳光所长在会议桌旁安静地听着，心中惊异莫名，一系列问题之后，他清楚地认识到，胡一亭这种水平完全可以媲美西方顶级半导体实验室首席科学家的程度，没有十几年的制程与芯片设计功底，根本不可能对这么多问题举重若轻，对这么多技术案例信手拈来，他对制程工艺的掌握和对制程设备的理解，可以说高于国内自己见过的所有专家！
“天才难道就是这样的吗？他才18岁啊……我18岁的时候在干嘛呢……难道胡一亭是从小就在半导体实验室里泡大的不成？实在是无法解释啊……”
胡一亭说的口干舌燥，眼看着大家的问题告一段落，便低下头继续翻动自己做的ppt。
“嗯，接下来我给大家讲一下，这是我发明的一个新技术。”
一听说又有新技术要诞生了，在座的科学家和工程师们立刻竖起了耳朵，生怕漏过一丝信息。
胡一亭指着投影屏幕道：“这是我做的关于存储器技术发展的一个路线图，大家可以看到，从存储器诞生以后，出现了挥发性存储器和非挥发性存储器，其中非挥发性存储器的地位越来越重要，从1970年诞生了以浮空多晶硅栅为基础的可擦除只读存储器之后，国际上的存储半导体技术并没有丝毫裹足不前，而是正在不断加速前进。
需要从系统上取下后暴露于紫外光下进行擦除，且每次擦除都完全抹去所有信息，这样使用很不方便，目前已经逐渐退出市场。它的替代物是后来出现的电可擦除，从此存储器就实现了在电路中灵活编程。
之后在的基础上，又发展出了快闪存储器flash-m，flash-multi-llc，而传统flash-mlc技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎么搞？”
胡一亭笑道：“别急别急，我这就说，但不是你想的那样，pop叠层封装工艺并不能降低闪存成本，两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已，价格也只会更加昂贵，和我说的mlc构造是两码事。”
说着胡一亭切了一张自制的ppt，开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起mlc构造的特点来。
“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。
我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程。在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。
接下来我说关键点，大家看图，由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘，这样一来，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，可我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的flash-mcl产品，彻底统治mlc闪存专利市场，直到把闪存技术推向tlc和3d-nand制程！
这时奚龙山突然开口问道：“胡总，我有个问题，你这么一搞，的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢？”
胡一亭笑了起来：“这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于读取并解析数据就行，根据我的初步设计，可以把05v-25v设定为11，25v-4v设定为10，4v-55v设定为01，55v到6v设定为00，具体的解码电路设计我已经有了腹稿，这款芯片的初步设计我已经胸有成竹，上周我已经把slc芯片设计改良完成，本周我就把这款mlc的芯片设计拿出来，下周就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就对这款mlc进行第一次工程流片！”
说完胡一亭意气风发，高高举起右手指着天花板：“我告诉大家！重光将成为世界上第一家采用mlc技术的闪存设计企业！重光的专利将永载史册！而这项专利必将让我们得以摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚，抵消我们需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费！并很有可能反过来赚他们的钱！”
奚龙山惊讶的合不拢嘴，上唇哆嗦着，轻声感慨道：“胡总……真神人也……”58xs8.com